n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

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n型有机半导体材料
PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

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n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料

PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

本产品为n型有机半导体材料，其具有优异的大气稳定性和电子迁移速度。

n型有机半导体材料PhCn-BQQDI，无论采用真空沉积法，还是涂布法，均可形成再现性良好的成膜，但C2体（n=2）适合涂布法，而C3体（n=3）适合气相沉积法。

◆基本信息


PhC2-BQQDI

PhC3-BQQDI

名称

benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide（BQQDI）

在骨架的亚胺基的氮原子上连有苯乙基（-C2H4Ph）。

benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide（BQQDI）在骨架的亚胺基团的氮原子上连有苯丙基（-C3H6Ph）。

结构式

n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

实物图

n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

包装

氩气填充

外观

红色~红棕色，结晶性粉末~粉末

◆特点


可用于气相沉积法和涂布法的高性能n型有机半导体材料。


■ 高迁移性

· 涂布结晶形成的单晶在大气中的电子迁移速度为3 cm2/Vs

· 真空蒸镀膜在大气中的电子迁移速度超过0.6 cm2/Vs

■ 高稳定性

· 可在大气中长期保持稳定，不受器件结构的影响

· 单晶有机薄膜晶体管（OFET）可维持半年以上，蒸镀法OFET可维持一个月以上

· 迁移性降低率小于10%

■ 高耐性（PhC2-BQQDI）

· 在单晶OFET中，选择任意基板，都具有超过150°C的高耐热应力

· 良好的偏压应力

◆数据

①PhC2-BQQDI

LUMO能级估算、大气·热稳定性评估

● 通过循环伏安法（Cyclic Voltammetry，简称CV），估计LUMO为−4.11 eV（4-Hep-BQQDI具有优异的溶解性）

● 通过热重-差热分析法（Thermogravimetry−Differential Thermal Analysis，简称TG−DTA），在421 °C下未观察到分解或相变的热异常

● 大气储存下采用气相沉积法形成的100 nm薄膜在1个月内的紫外–可见光（UV-Vis）光谱无变化。


n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

团聚体结构

呈砖砌型团聚体结构，能够观察到相邻BQQDI骨架之间的多分子相互作用，并可实现二维电荷传输。

n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

PhC2-BQQDI的单晶OFET

元件结构

大气下的输出特性

n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

②PhC3-BQQDI

PhC3-BQQDI单晶结构与LUMO之间的转移积分。

n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

评估大气中真空气相沉积OTFT特性（通道长/宽=100 µm/1000 µm）

（a）OTFT结构图

（b）PhC2-BQQDI和（c）PhC3-BQQDI在饱和区随基板温度变化的传输特性（漏极电压：50 V）

 蓝线：室温、绿线：100°C、红线：180°C

（d）PhC2-BQQDI及（e）PhC3-BQQDI的迁移速度在大气中的经时变化

n型有机半导体材料 PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI

③PhC2-BQQDI与PhC3-BQQDI

化合物

基板温度

平均（最大）迁移速度

（cm2 V-1S-1）†

平均阈值电压

（V）†

接触电阻

（kΩ cm）‡

PhC2-BQQDI

室温

0.29（0.30）

4.6

4.8±0.6

100°C

0.54（0.54）

3.3

5.8±0.5

180°C

0.64（0.65）

3.5

4.7±0.4

PhC3-BQQDI

室温

0.32（0.33）

3.2

1.7±0.3

100°C

0.51（0.53）

1.4

4.3±0.6

180°C

0.65（0.70）

2.5

3.2±0.5


†：在饱和区（漏极电压=50 V）时评估

‡：栅极电压=50 V时的估算值

※ 本页面产品仅供研究用，研究以外不可使用。

参考文献


1.

“Robust, High-Performance n-Type Organic Semiconductors” OPEN ACCESS
Okamoto, T., Kumagai, S., Fukuzaki, E., Ishii, H., Watanabe, G., Niitsu, N., Annaka, T., Yamagishi, M,, Tani, Y., Sugiura, H., Watanabe, T., Watanabe, S., Takeya, J. : Science Advances, 6, eaaz0632 (2020).
DOI：10.1126/sciadv.aaz0632

2.

“Cooperative Aggregations of Nitrogen-Containing Perylene Diimides Driven by Rigid and Flexible Functional Groups”
Kumagai, S., Ishii, H., Watanabe, G., Annaka, T., Fukuzaki, E., Tani, Y., Sugiura, H., Watanabe, T., Kurosawa, T., Takeya, J., and Okamoto, T.: Chem. Mater. 32, 21, 9115 (2020).
DOI：10.1021/acs.chemmater.0c01888

3.

岡本 敏宏, 熊谷 翔平：和光純薬時報, 88, 3, 2 (2020).
https://labchem-wako.fujifilm.com/jp/journal/docs/jiho883.pdf

产品列表
产品编号 产品名称 产品规格 产品等级 备注
165-28601 PhC2-BQQDI 100 mg
166-28871 PhC3-BQQDI 100 mg